A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o desenvolvimento da OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), um novo tipo de DRAM 4F2, composta por um transistor semicondutor de óxido que tem uma alta corrente ON e uma corrente OFF ultrabaixa, simultaneamente. Espera-se que essa tecnologia produza uma DRAM de baixo consumo de energia, trazendoàtona a propriedade de vazamento ultrabaixo do transistor InGaZnO*1. Isso foi anunciado pela primeira vez na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizada em São Francisco, CA, em 9 de dezembro de 2024. Essa conquista foi desenvolvida em conjunto pela Nanya Technology e pela Kioxia Corporation. Essa tecnologia tem o potencial de reduzir o consumo de energia em uma ampla gama de aplicações, incluindo sistemas de comunicação AI e pós-5G e produtos IoT.
Este comunicado de imprensa inclui multimédia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20241209763400/pt/
Fig.1: Cross-sectional TEM image for the InGaZnO vertical transistor (Photo: Business Wire)
O OCTRAM utiliza um transistor vertical InGaZnO em forma de cilindro (Fig. 1) como um transistor de célula. Esse design permite a adaptação de uma DRAM 4F2, que oferece vantagens significativas na densidade de memória em comparação com a DRAM 6F2 convencional baseada em silício.
O transistor vertical InGaZnO atinge uma alta corrente ON de mais de 15μA/célula (1,5 x 10-5 A/célula) e uma corrente OFF ultrabaixa abaixo de 1aA/célula (1,0 x 10-18 A/célula) por meio da otimização do dispositivo e do processo (Fig. 2). Na estrutura do OCTRAM, o transistor vertical de InGaZnO é integrado em cima de um capacitor de alta proporção (processo capacitor-first). Esse arranjo permite o desacoplamento da interação entre o processo avançado do capacitor e o desempenho do InGaZnO (Fig. 3).
*1: InGaZnO é um composto de In(índio), Ga(gálio), Zn(zinco) e O(oxigênio)
- Este anúncio foi preparado para fornecer informações sobre nossos negócios e não constitui nem faz parte de uma oferta ou convite para venda ou solicitação de uma oferta para comprar ou subscrever ou de outra forma adquirir quaisquer valores mobiliários em qualquer jurisdição ou um incentivo para se envolver em atividade de investimento, nem deve formar a base ou ser considerado em conexão com qualquer contrato.
- As informações contidas neste documento, incluindo preços e especificações de produtos, conteúdo de serviços e informações de contato, estão corretas na data do anúncio, mas estão sujeitas a alterações sem aviso prévio.
Sobre a Kioxia
A Kioxia é líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSDs). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrada da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em elevar o mundo com memória, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado em memória para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicações de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, SSDs, automotivos e centros de dados.
O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
Ver a versão original em businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20241209763400/pt/
Contato:
Kota Yamaji
Relações Públicas
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
Fonte: BUSINESS WIRE
