A Kioxia Corporation e a Sandisk Corporation foram pioneiras em uma tecnologia de memória flash 3D de última geração, estabelecendo o benchmark do setor com uma velocidade de interface NAND de 4,8 Gb/s, eficiência energética superior e densidade elevada.
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Apresentada no ISSCC 2025, a inovação da memória flash 3D, juntamente com a revolucionária tecnologia CBA (CMOS directly Bonded to Array)1 das empresas, incorpora um dos mais recentes padrões de interface, o Toggle DDR6.0 para memória flash NAND, e aproveita o protocolo SCA (Separate Command Address)2, um novo método de entrada de endereço de comando de sua interface, e a tecnologia PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination)3, que é fundamental para reduzir ainda mais o consumo de energia.
Aproveitando essa tecnologia exclusiva de alta velocidade, as empresas esperam que a nova memória flash 3D obtenha uma melhoria de 33% na velocidade da interface NAND em comparação com a memória flash 3D de 8ª geração atualmente em produção em massa, atingindo uma velocidade de interface de 4,8 Gb/s. A tecnologia também pode proporcionar maior eficiência energética de entrada/saída de dados, reduzindo o consumo de energia em 10% para entrada e 34% para saída, alcançando assim um equilíbrio entre alto desempenho e baixo consumo de energia. Ao apresentar a 10ª geração de memória flash 3D, as empresas detalharam que, ao aumentar o número de camadas de memória para 332 e otimizar a planta baixa para aumentar a densidade planar, a tecnologia melhora a densidade de bits em 59%.
Hideshi Miyajima, diretor de Tecnologia da Kioxia, disse: “Com a proliferação das tecnologias de IA, a quantidade de dados gerados deverá aumentar significativamente, assim como a necessidade de maior eficiência energética nos data centers modernos. A Kioxia acredita fortemente que essa nova tecnologia permitirá o desenvolvimento de produtos de maior capacidade, maior velocidade e menor consumo de energia, incluindo SSDs para soluções de armazenamento futuras, além de lançar as bases para o avanço da IA”.
Alper Ilkbahar, vice-presidente sênior de Estratégia Global e Tecnologia da Sandisk, disse: “À medida que a IA avança, as necessidades dos clientes em relaçãoàmemória tornam-se cada vez mais diversas. Por meio da inovação da nossa tecnologia CBA, buscamos lançar produtos que ofereçam a melhor combinação em termos de capacidade, velocidade, desempenho e eficiência de capital para atender nossos clientes em diferentes segmentos de mercado”.
A Kioxia e a Sandisk também compartilharam planos para a próxima memória flash 3D de 9ª geração. Graçasàsua exclusiva tecnologia CBA, as empresas podem combinar a nova tecnologia CMOS com uma tecnologia de célula de memória existente para oferecer produtos de baixo consumo de energia, alto desempenho e eficiência de capital. As duas empresas continuam comprometidas com o desenvolvimento de tecnologias de memória flash de ponta, oferecendo soluções personalizadas para atender às necessidades dos clientes e contribuindo para o avanço da sociedade digital.
Sobre a Kioxia
A Kioxia é uma líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSDs). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrada da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em elevar o mundo com “memória”, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado em memória para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicações de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, sistemas automotivos, data centers e sistemas de IA generativa.
Sobre a Sandisk
A Sandisk oferece soluções inovadoras de Flash e tecnologias avançadas de memória que atendem pessoas e empresas na interseção de suas aspirações e o momento, permitindo que continuem avançando e impulsionando possibilidades. A Sandisk Corporation é uma subsidiária integral da Western Digital (Nasdaq: WDC). Siga a Sandisk no Instagram, Facebook, X, LinkedIn, Youtube. Junte-se ao TeamSandisk no Instagram.
- Tecnologia em que cada wafer CMOS e wafer de matriz de células são fabricados separadamente em sua condição otimizada e, em seguida, unidos.
- Tecnologia em que o barramento para entrada de comando/endereço e o barramento para transferência de dados são completamente separados em barramentos diferentes e usados em paralelo. Isso reduz o tempo de entrada/saída de dados.
- Tecnologia em que as fontes de alimentação para 1,2 V existente e tensão adicional mais baixa são utilizadas para a fonte de alimentação da interface NAND. Isso reduz o consumo de energia durante a entrada/saída de dados.
*1Gbps é calculado como 1.000.000.000bits/segundo. Esse valor é obtido em nosso ambiente de teste específico e pode variar dependendo das condições de uso.
*Nomes de empresas, nomes de produtos e nomes de serviços podem ser marcas registradas de empresas terceirizadas.
Declarações prospectivas
Este comunicadoàimprensa contém declarações prospectivas dentro do significado das leis federais de valores mobiliários, incluindo declarações sobre expectativas para a disponibilidade, capacidades e impactos da tecnologia e produtos da Sandisk. Essas declarações prospectivas baseiam-se nas expectativas atuais da administração e estão sujeitas a riscos e incertezas que podem fazer com que os resultados reais sejam substancialmente diferentes daqueles expressos ou implícitos nas declarações prospectivas.
Os principais riscos e incertezas que podem fazer com que os resultados reais sejam substancialmente diferentes daqueles expressos ou implícitos nas declarações prospectivas incluem: desafios e dificuldades operacionais, financeiras e legais inerentesàimplementação da cisão do negócio Flash da Western Digital Corporation para a Sandisk; os resultados operacionais futuros do negócio flash independente; se a cisão será concluída nos termos esperados e no cronograma previsto ou de forma alguma, incluindo a possibilidade de que as condições para a cisão não sejam satisfeitas, incluindo que uma entidade governamental possa proibir, atrasar ou se recusar a conceder uma aprovação necessária; os benefícios e custos esperados da cisão, incluindo que os benefícios esperados não serão realizados dentro do prazo esperado, integralmente ou de forma alguma; potenciais reações adversas ou mudanças nos relacionamentos com clientes, fornecedores ou outros parceiros resultantes do anúncio e conclusão da cisão; respostas competitivas ao anúncio ou conclusão da cisão; custos, responsabilidades, encargos ou despesas inesperados resultantes da cisão; litígios relacionadosàcisão; a incapacidade de reter pessoal-chave como resultado da cisão, interrupção do tempo de gestão das operações comerciais em andamento devidoàcisão; impacto comercial de conflitos geopolíticos; e quaisquer mudanças nas condições econômicas gerais e/ou específicas do setor; outros fatores econômicos, competitivos, legais, governamentais, tecnológicos e outros que podem afetar a cisão e outros riscos e incertezas estabelecidos na declaração de informações finais anexada como Anexo 99.1àDeclaração de Registro do Formulário 10 da Sandisk Corporation arquivada na SEC em 27 de janeiro de 2025, que está disponível no site da SEC em www.sec.gov. Você não deve depositar confiança indevida nessas declarações prospectivas, que são válidas apenas até a data deste documento, e a Sandisk não assume nenhuma obrigação de atualizar ou revisar essas declarações prospectivas para refletir novas informações ou eventos, exceto conforme exigido por lei.
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Fonte: BUSINESS WIRE
