A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o início do envio de amostras de dispositivos de memória de 1 Tb (terabit) do tipo Triple-Level Cell (TLC), que incorporam sua tecnologia de memória flash 3D BiCS FLASH™ de nona geração1. Os dispositivos foram projetados para atender a aplicações em PCs e smartphones com inteligência artificial (IA), com capacidades de armazenamento de baixo a médio nível e que exigem alto desempenho.
A Kioxia continua seguindo uma estratégia de eixo duplo baseada em sua tecnologia CMOS inovadora, diretamente ligada à matriz (CBA)2, e na tecnologia On-Pitch Select Gate Drain (OPS)3. No âmbito dessa estratégia, a empresa está desenvolvendo duas linhas de produtos distintas: soluções de 9ª geração, que oferecem alto desempenho a um custo relativamente baixo, e tecnologia de 10ª geração, que aproveita o empilhamento avançado de camadas para alcançar capacidade massiva e desempenho superior.
Desenvolvidos por meio de um processo de empilhamento de 230 camadas baseado na tecnologia BiCS FLASH™ de 8ª geração e em tecnologia CMOS avançada, os novos dispositivos BiCS FLASH™ de 1 Tb TLC de 9ª geração oferecem uma velocidade de interface NAND de 4,8 Gb/s, o que representa uma melhoria de 33% em relação aos dispositivos de 8ª geração, equiparando-se ao desempenho dos dispositivos de 10ª geração4.
Guiada por sua missão de “elevar o mundo com a ‘memória’”, a Kioxia mantém seu compromisso de impulsionar a inovação tecnológica, fortalecer parcerias globais e fornecer soluções avançadas de armazenamento que impulsionam a infraestrutura moderna de IA.
- Essas amostras são produzidas para verificar a funcionalidade; as especificações reais podem diferir na produção em massa.
- Tecnologia na qual cada wafer CMOS e cada wafer de matriz de células são fabricados separadamente, em condições otimizadas individualmente, e, em seguida, unidos. Essa tecnologia é adotada desde os produtos BiCS FLASH™ de 8ª geração.
- Tecnologia que permite encurtar a linha de bits e reduzir a capacitância da linha de palavras por meio da remoção de orifícios de memória não utilizados. Essa tecnologia é utilizada desde os produtos BiCS FLASH™ de 8ª geração.
- 1 Gb/s é calculado como 1.000.000.000 de bits por segundo. Esse valor foi obtido em um ambiente de teste específico na Kioxia Corporation; os resultados podem variar no uso real, dependendo das condições de utilização.
Notas:
*A densidade do produto é definida com base na densidade do(s) chip(s) de memória nele contido(s), e não na capacidade de memória disponível para o usuário final armazenar dados. A capacidade utilizável pelo consumidor será menor devido a áreas de controle de dados, formatação, blocos defeituosos e outras limitações, podendo também variar conforme o dispositivo anfitrião e a aplicação. Para mais detalhes, consulte as especificações do produto. 1 GB = 2³⁰ bits = 1.073.741.824 bits.
*As velocidades de leitura e gravação apresentadas são as melhores obtidas em um ambiente de teste específico da Kioxia Corporation. A empresa não garante que essas velocidades serão alcançadas em dispositivos individuais. As velocidades de leitura e gravação podem variar conforme o dispositivo utilizado.
*Nomes de empresas, produtos e serviços podem ser marcas comerciais de terceiros.
*Este comunicado foi elaborado para fornecer informações sobre nossos negócios e não constitui nem faz parte de uma oferta ou convite para vender, nem de uma solicitação de oferta para comprar, subscrever ou de outra forma adquirir quaisquer valores mobiliários em qualquer jurisdição, nem constitui um incentivo para realizar atividades de investimento, nem servirá de base ou será utilizado como referência em relação a qualquer contrato decorrente.
*As informações contidas neste documento, incluindo preços e especificações de produtos, conteúdo de serviços e informações de contato, estão corretas na data deste comunicado, mas estão sujeitas a alterações sem aviso prévio.
Sobre a Kioxia
A Kioxia é uma líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSDs). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrada da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em elevar o mundo com “memória”, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado em memória para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicações de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, sistemas automotivos, data centers e sistemas de IA generativa.
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Kota Yamaji
Relações Públicas
Kioxia Holdings Corporation
+81-3-6478-2319
Fonte: BUSINESS WIRE
