JEOL – Lançamento comercial do HAXIS: o novo microscópio eletrônico de varredura com fresagem iônica de baixo ângulo

A JEOL Ltd. (Presidente e CEO Izumi Oi) anuncia o desenvolvimento de seu novo microscópio eletrônico de varredura com fresagem iônica de baixo ângulo, o HAXIS, e iniciará as vendas em 5 de outubro de 2026.

Este comunicado de imprensa inclui multimédia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20260928088041/pt/

HAXIS Low-angle Ion Milling Scanning Electron Microscope

Microscópio eletrônico de varredura com fresagem iônica de ângulo baixo HAXIS

Contexto do desenvolvimento

À medida que as estruturas avançadas de dispositivos semicondutores continuam a diminuir e a se tornar mais complexas, tornou-se difícil estabelecer contato e realizar medições em circuitos em microescala usando nanomanipuladores. Além disso, o contato causado pela sondagem pode alterar o objeto analisado, exigindo novos métodos de análise de falhas.

A JEOL conduziu pesquisas de longo prazo sobre a tecnologia de detecção por contraste de tensão passiva (PVC) e estabeleceu um método para observar o PVC de forma estável e altamente reprodutível, por meio do aprimoramento de detectores e técnicas de preparação de amostras.

O HAXIS é a nova plataforma da JEOL para análise de falhas em semicondutores, que combina essas tecnologias.

O sistema permite observar o PVC de forma clara e altamente reprodutível, mesmo em semicondutores avançados. Ao detectar visualmente anomalias elétricas e, ao mesmo tempo, minimizar os efeitos de danos decorrentes do processamento e da contaminação, é possível identificar com eficiência a localização do defeito e determinar sua causa. O uso de argônio (Ar), um gás inerte, garante uma qualidade de superfície estável e contribui para a redução dos custos operacionais.

A qualidade da observação de PVC é significativamente afetada pelas condições da superfície da amostra após o processo de delayering. A HAXIS utiliza uma técnica exclusiva de delayering por Fresagem por Feixe de Íons em Baixo Ângulo (LIM, na sigla em inglês) com feixes de íons de argônio (Ar) para criar uma superfície plana e com danos mínimos à superfície da amostra. Isso possibilita uma observação de PVC nítida e com alta reprodutibilidade, preservando a estrutura e as informações de potencial, mesmo em dispositivos avançados.

A análise de falhas de semicondutores envolve várias etapas, desde a localização do defeito até a análise física e a investigação da causa-raiz. À medida que a complexidade dos dispositivos aumenta, torna-se cada vez mais crítico reduzir o tempo entre a detecção da falha e a obtenção de resultados que permitam tomar medidas efetivas.

A HAXIS apresenta uma nova abordagem para a localização de falhas, integrando a remoção de camadas por LIM, imagens de SEM e análise de contraste de tensão passiva (PVC). Esse fluxo de trabalho combinado permite identificar de forma rápida e altamente precisa os locais das falhas, apoiando a análise de falhas com tempo de resposta rápido (QTAT) e acelerando a transição da detecção elétrica de falhas para a análise física e

Principais recursos

Imagens nítidas em PVC
Processamento de Ar com boa relação custo-benefício
Separação de camadas sem danos com LIM
Análise camada por camada de LIM/PVC
Transferência livre de contaminação

Meta de vendas

15 unidades/ano

Visão geral do produto

Sistema Multifeixe HAXIS LIM-SEM

https://www.jeol.com/products/scientific/sem/haxis.php

O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.