A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o desenvolvimento de transistores de canal de semicondutor de óxido altamente empilháveis que permitirão a implementação prática de DRAM 3D de alta densidade e baixo consumo de energia. Essa tecnologia foi apresentada na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizada em São Francisco, EUA, em 10 de dezembro, e tem o potencial de reduzir significativamente o consumo de energia em uma ampla gama de aplicações, incluindo servidores de IA e dispositivos de IoT.
Na era da IA, há uma demanda crescente por DRAM de maior capacidade e menor consumo de energia, capazes de processar grandes volumes de dados. A tecnologia DRAM tradicional está atingindo os limites físicos de dimensionamento das células de memória, o que impulsiona a pesquisa sobre o empilhamento 3D dessas células para ampliar a capacidade. Entretanto, o uso de silício monocristalino como material de canal para transistores em células de memória empilhadas, como ocorre na DRAM convencional, eleva os custos de fabricação e faz com que a energia necessária para atualizar as células aumente proporcionalmenteàcapacidade da memória.
No IEDM do ano passado, anunciamos o desenvolvimento da tecnologia DRAM com transistor de canal de semicondutor de óxido (OCTRAM), que utiliza transistores verticais de semicondutores de óxido. Na apresentação deste ano, mostramos a tecnologia de transistores de canal de semicondutor de óxido altamente empilháveis, permitindo o empilhamento 3D de OCTRAM, verificando o funcionamento de transistores empilhados em oito camadas.
Essa nova tecnologia empilha camadas consolidadas de óxido de silício e nitreto de silício e substitui a região de nitreto de silício por um semicondutor de óxido (InGaZnO) para formar, de maneira simultânea, camadas verticais de transistores organizados horizontalmente. Também introduzimos uma nova estrutura de célula de memória 3D capaz de dimensionar o passo vertical. Espera-se que esses processos e estruturas de fabricação superem os desafios de custo para alcançar o empilhamento 3D de células de memória.
Além disso, espera-se que a energia de atualização possa ser reduzida graças às características de baixa corrente de desligamento dos semicondutores de óxido. Demonstramos capacidades de alta corrente ligada (mais de 30μA) e corrente desligada ultrabaixa (menos de 1aA, 10^-18A) para os transistores horizontais formados pelo processo de substituição. Além disso, fabricamos com sucesso uma pilha de 8 camadas de transistores horizontais e confirmamos o funcionamento bem-sucedido dos transistores dentro dessa estrutura.
Na Kioxia Corporation, continuaremos nossa pesquisa e desenvolvimento dessa tecnologia para viabilizar a implementação da DRAM 3D em aplicações reais.
* Este comunicado foi preparado para fornecer informações sobre nossos negócios e não constitui nem faz parte de uma oferta ou convite para vender, nem uma solicitação de oferta para comprar, subscrever ou de outra forma adquirir quaisquer valores mobiliários em qualquer jurisdição, tampouco representa um incentivo para participar de atividades de investimento, nem servirá de base ou será considerado em conexão com qualquer contrato relacionado.
* As informações contidas neste documento, incluindo preços e especificações de produtos, conteúdo dos serviços e dados de contato, estão corretas na data do anúncio, mas estão sujeitas a alterações sem prévio aviso.
Sobre a Kioxia
A Kioxia é líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSDs). Em abril de 2017, sua antecessora, a Toshiba Memory, foi desmembrada da Toshiba Corporation, a empresa que criou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia tem o compromisso de impulsionar o mundo por meio da “memória”, oferecendo produtos, serviços e sistemas que ampliam as opções dos clientes e geram valor para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicações de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, sistemas automotivos, data centers e soluções de IA generativa.
O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.
Ver a versão original em businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20251211360885/pt/
Contato:
Kota Yamaji
Relações Públicas
Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
Fonte: BUSINESS WIRE
